链节球　 blob　 在高分子亚浓溶液中,高分子链间相互拥挤、相互交叠。对于同一链上两个相邻缠结点(entanglement point)之间的区域,其他链上的单元很难进入;该区域所构成的球体定义为“链节球(blob)”。在链节球内,单体单元的运动遵循无扰统计规律,而整个高分子链的运动可用很多链节球的运动所描述。

　链式降解　 见解聚(368页)。

　链式聚合 　 chain polymerization　 又称连锁聚合。由活性种引发的迅速链增长的聚合。连锁聚合的特征是聚合过程由链引发、链增长和链终止三个基元反应组成的,有时还伴有链转移反应,各基元反应的速率和活化能差别较大。链引发是活性中心的形成,链增长是单体与活性中心反应,链终止是活性中心的消失。单体只能与活性中心反应生成新的活性中心,单体之间不能反应。聚合体系始终由单体、聚合物和微量引发剂组成,没有分子量递增的中间产物。按活性种的不同,连锁聚合可分为自由基聚合、离子聚合和配位聚合,离子聚合又分为阳离子聚合和阴离子聚合。按照引发方式的不同,连锁聚合还可分为引发剂(或催化剂)引发聚合、热引发聚合、光引发聚合、辐射聚合、生化聚合、电化学引发聚合和力化学聚合等。烯类单体的加聚反应绝大多数属于连锁聚合反应。按产量估计,现代合成高分子材料大约70%是按链式聚合反应合成的,例如聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯与丁二烯的嵌段共聚物、丁苯橡胶、丁腈橡胶和氯丁橡胶等都是连锁聚合的产物。

　链引发 　 chain initiation　 链式聚合的基元反应,是单体产生活性中心的过程。引发剂产生初级活性种如自由基、阳离子或阴离子,初级活性种加成到单体上形成单体自由基、单体阳离子或单体阴离子等单体活性种。根据活性种的类型,链式聚合分为不同类型。按照引发方式可分为热引发、光引发、辐射引发和引发剂引发等。

　链转移 　 chain transfer　 链式聚合反应的活性链与其他物质作用,原活性中心终止,同时生成一个新活性中心的反应过程。活性链可以向单体、溶剂、引发剂、大分子链和链转移剂发生链转移。向单体转移的能力与单体结构、温度等因素有关。自由基向引发剂转移,导致诱导分解,使引发剂效率和聚合度降低。溶液聚合时,需考虑向溶剂的链转移反应。链转移反应对聚合物分子量有重大影响。在实际生产中,常利用链转移反应来控制聚合物分子量以及合成接枝共聚物。如通过温度来调节聚氯乙烯的分子量,通过异丙醇来调节聚丙烯腈的分子量。

　链状硅酸盐结构　 chain silicate structure　 按照硅氧四面体在空间组合情况而划分的硅酸盐矿物的亚类之一,按硅氧四面体[SiO4]连接方式的不同分为单链和双链结构(见图)。其络阴离子中,各个硅氧四面体之间通过共用半数氧角顶的方式相互连接而组成一维无限延长的硅氧四面体单链[SiO3,或者由两个平行的单链彼此再通过共用某些角顶联接成一维无限延伸的硅氧四面体双链[Si4O11,链与链之间则由金属离子(主要为Mg2+、Fe2+、Ca2+、Na+、Al3+等)相联系而结合的硅酸盐。在单链结构中,还可以按沿着链的发展方向不同的周期性而分为一、二、三、四、五及七节链。在陶瓷中较重要的链状硅酸盐有辉石族。本类矿物一般呈柱状或针状晶形,多为深色,平行于链方向的解理发育,硬度较高,密度低于岛状硅酸盐而高于其他构造的硅酸盐。此外,硅线石(Al2O3·SiO2)也可以看成是链状硅酸盐结构,但它的链是由铝氧八面体共边组成,各链之间由[SiO4]及[AlO4]四面体形成链的连接。

　量子点　 quantum dots　 是一种小到足以展现量子限域效应的纳米晶。量子点是典型的零维纳米材料,载流子在三个空间方向上的运动都受到限制。由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。量子点最早由Louis E.Brus等在胶体中发现。量子点的合成方法主要包括化学溶液生长法、外延生长法、电场约束法等。化学溶液法是指将前驱物、表面活性剂和溶剂混合加热反应,生成相应的量子点材料。该法制备的量子点具有制作成本低、产率大、发光效率高等优点,但其电导率极低。外延生长法是指在一种衬底材料上长出新的晶体,如果结晶足够小,就会形成量子点。根据生长机理不同,该方法又可细分为化学气相沉积法和分子束外延法。电场约束法是指完全利用调控金属电极的电势使晶体内的能级发生扭曲,形成对载流子的约束,该法成本最高、产率最低,但由于极高的可控性,这种量子点最适合用作量子计算。量子点独特的性质基于它自身的量子限域效应,在非线性光学、磁介质、催化、医药及功能材料等方面具有极为广阔的应用。

　量子阱材料　 quantum-well materials　 在相同的两层厚度较大的半导体之间若生长一薄层不同的半导体夹层,只要夹层材料的导带边比两个边层的导带边低,或夹层的价带边比两个边层的价带边高,则一个以两个边层为势垒而夹层为势阱称为量子阱的三层结构。如果势阱层的厚度小到与电子德布罗意波长可比拟,则阱中的电子或者空穴在垂直于结面方向运动的能量被量子化为一系列决定于阱宽、阱深和粒子有效质量的分立值,这种材料称为单量子阱材料。用周期性重复单量子阱结构的方法得到的材料,若势垒层的厚度大到使两个相邻势阱中电子波函数不能相互耦合,称为多量子阱材料。

　量子隧穿效应　 quantum tunnel effect　 参见宏观量子隧道效应(311页)。

　量子限域效应　 quantum confinement effect　 当粒子尺寸与电子的德布罗意波长、相干波长及激子波耳(Bohr)半径可比拟时,电子被局域在纳米尺度空间,电子输运受到限制,电子平均自由程显著缩短,其局域性和相干性增强,该现象称为量子限域效应。对于量子点或者纳米晶,当粒径与Wannier激子Bohr半径相当或更小时处于强限域区,易形成激子产生激子吸收带。随着粒径的减小,激子带的吸收系数增加并出现激子强吸收。由于量子限域效应,激子的最低能量向高能方向移动即蓝移。最新的报道表明,日本NEC已成功地制备了量子点阵,在基底上沉积纳米岛状量子点阵列。当用激光照射量子点使之激励时,量子点发出蓝光,表明量子点确实具有量子限域效应。

　辽三彩　 Liao sancai　 辽代生产的低温彩色釉陶制品。受唐三彩的影响,辽代也烧这类品种。辽三彩多用黄绿白三色釉。器形中的方碟、海棠花式长盘、鸡冠壶、筒式瓶等,富有契丹民族风格。装饰手法有印花、划花两种。大凡盘、碟采用阳文印花;琢器采用划花。与唐三彩的区别除胎质较粗糙外,主要是辽三彩无蓝色。釉不交融,釉面不平,表面常有突起的砂粒,釉面少流淌、光泽差,釉色不够鲜艳。

　裂纹形核　 crack nucleation　 在应力和环境因素(或两者联合)作用下,无裂纹试样(或构件)产生裂纹的过程称裂纹形核。分微观裂纹形核和宏观裂纹形核。裂纹可分以下几类:惰性介质中加载过程产生的裂纹;交变载荷下的疲劳裂纹;应力和温度联合作用下的蠕变裂纹;应力和化学介质联合作用下的应力腐蚀裂纹;氢进入后引起的氢致裂纹。每一类裂纹的形核过程及机理都不尽相同,需要分别加以研究。加载过程中裂纹的形核是不均匀塑性变形的结果。不均匀变形能引起应力集中(如位错塞积),当集中应力等于原子键合力时就会使材料分离而形成微裂纹。例如位错反应形成[001]刃位错(bcc金属),n个[001]刃位错就构成一个微裂纹。孪晶交割处,夹杂和第二相等应力集中处往往优先形成微裂纹。有些微裂纹形核后可能不长大(或来不及长大),微裂纹的扩展和连接就会导致宏观裂纹的形核。有时试样内部原来就存在微裂纹,则通过它们的长大和连接就导致宏观裂纹的形核。

　裂纹应力场　 crack stress field　 裂纹前端各个应力分量及其分布。在线弹性条件下,Ⅰ型裂纹(外应力σ和裂纹面垂直)前端各点(r,θ)的应力为σyy=(KI/)cos(θ/2)[1+sin(θ/2)sin(3θ/2)];σys=(KI/)cos(θ/2)[1-sin(θ/2)sin(3θ/2)],r≪a;τIy=(KI/)sin(θ/2)cos(θ/2)cos(3θ/2)。其中KI=Yσ称应力场强度因子,Y是裂纹形状因子。如是平面应力状态,则σzz=0;对平面应变状态,σzz=v(σxx+σyy),即存在三向正应力。在r≤R范围内,应力很大,可以等于有效屈服应力σys,σys=σs(平面应力)或σs/(1-2v)(平面应变),从而存在一个尺寸为R的屈服区。屈服区中的应力等于σys(不考虑加工硬化)或高于σys(和加工硬化系数n有关),但最大不会超过(3~5)σys。在屈服区之外弹性区中的应力分布由上述方程给出。对弹塑性裂纹(KIC大,σs小,试样薄),在小应变条件下可用J积分来描述裂尖应力场,即 σij=A/rn/1+n·(J/AInFij(θ),其中n是加工硬化系数,A和In是材料常数, Fij(θ)是角度的函数。

　林位错　 dislocation forest　 对于正在滑移面上运动的位错来说,穿过此滑移面的其他位错称为林位错。林位错的存在会阻碍位错的运动,但是若应力足够大,滑动的位错将切过林位错而继续前进。运动中位错互相切割的过程称为位错交割。例如两个刃型位错交割后,对不动的刃型位错将产生一小段位错(称为位错割阶),它的伯格斯矢量等于正在滑动的刃型位错的伯格斯矢量。

　临界磁场　 critical magnetic field　 在一定温度下使超导体转变成正常导体所需要的最小磁感应强度,且与超导体所处的温度有关,温度越低,临界磁场越大。第一类超导体存在一个临界磁场,而第二类超导体存在下临界和上临界两个磁场。